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BA779S


SI Diode
GFX
UR 30V
IF 50mA
- -
- -
- -
TJ 125°C
die BA779S ist eine Silizium Diode, U = 30V, I = 50mA, Anwend: stromgesteuerter HF- Widerstand, PIN- Diode
marking code: PN
Photo: -
Quelle: Tf Telefunken Dioden 1988
Erweiterte Informationen zu BA779S
OEM:AEG Telefunk... [mehr]
AEG Telefunken / Telefunken electronic
Gehäuse: SOT23
BA779S Datenblatt (jpg):verfügbar
BA779S Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BA779S


SI Diode
GFX
UR 30V
IF 50mA
- -
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TJ 125°C
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Photo: -
Quelle: Tf Telefunken Dioden 1988
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Gehäuse: SOT23
BA779S Datenblatt (jpg):verfügbar
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-
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GFX
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IF 50mA
- -
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TJ 125°C
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-
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