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A570N


SI Diode
GFX
UR 800V
IF 1500A
- -
- -
- -
TJ 200°C
die A570N ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 1500A, Anwend: Leistungsgleichrichter
Photo: -
Quelle: GE General Electric Semic...... [mehr]
GE General Electric Semiconductors 1973
Erweiterte Informationen zu A570N
OEM:General Elec... [mehr]
General Electric Co. GEC
Gehäuse: 182
A570N Datenblatt (jpg):-
A570N Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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GFX
UR 800V
IF 1500A
- -
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die A570N ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 1500A, Anwend: Leistungsgleichrichter
Photo: -
Quelle: GE General Electric Semic...... [mehr]
GE General Electric Semiconductors 1973
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Gehäuse: 182
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