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2100GXHH22


SI Diode
GFX
UR 4.5kV
IF 2100A~
- -
trr 9µS
UF / IF <4.5V/6.5kA
TJ 125°C
die 2100GXHH22 ist eine Silizium Diode, U = 4.5kV, I = 2100A
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 2100GXHH22
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
2100GXHH22 Datenblatt (jpg):-
2100GXHH22 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2100GXHH22


SI Diode
GFX
UR 4.5kV
IF 2100A~
- -
trr 9µS
UF / IF <4.5V/6.5kA
TJ 125°C
die 2100GXHH22 ist eine Silizium Diode, U = 4.5kV, I = 2100A
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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GFX
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- -
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