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1S417R


SI Diode
GFX
UR 800V
IF 3A
- -
- -
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die 1S417R ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 3A, Anwend: Gleichrichter, Anode ist mit dem Gehäuse verbunden
Photo: -
Quelle: Texas Instruments Halblei...... [mehr]
Texas Instruments Halbleiter Datenbuch 68/69
Erweiterte Informationen zu 1S417R
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse:-
1S417R Datenblatt (jpg):verfügbar
1S417R Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1S417R


SI Diode
GFX
UR 800V
IF 3A
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