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1S2387H


SI Diode
GFX
UR 120V
IF 250mA
- -
trr 10nS
- -
- -
die 1S2387H ist eine Silizium Diode, U = 120V, I = 250mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1S2387H
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: DO-35
1S2387H Datenblatt (jpg):-
1S2387H Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1S2387H


SI Diode
GFX
UR 120V
IF 250mA
- -
trr 10nS
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die 1S2387H ist eine Silizium Diode, U = 120V, I = 250mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1S2387H
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: DO-35
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SI Diode
GFX
UR 120V
IF 250mA
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