R
X
G
Seite:

1S1796


SI Diode
GFX
UR 30V
IF 100mA
- -
trr 4nS
- -
- -
die 1S1796 ist eine Silizium Diode, U = 30V, I = 100mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1S1796
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:-
1S1796 Datenblatt (jpg):-
1S1796 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1S1796


SI Diode
GFX
UR 30V
IF 100mA
- -
trr 4nS
- -
- -
die 1S1796 ist eine Silizium Diode, U = 30V, I = 100mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1S1796
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:-
1S1796 Datenblatt (jpg):-
1S1796 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1S1796


SI Diode
GFX
UR 30V
IF 100mA
- -
trr 4nS
- -
- -
die 1S1796 ist eine Silizium Diode, U = 30V, I = 100mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1S1796
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:-
1S1796 Datenblatt (jpg):-
1S1796 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche