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1S1712


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 75mA
- -
trr 4nS
- -
- -
die 1S1712 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 75mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1S1712
OEM:New Japan Ra... [mehr]
New Japan Radio Co., Ltd., Japan
Gehäuse: DO-7
1S1712 Datenblatt (jpg):-
1S1712 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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GFX
UR 100V
IF 75mA
- -
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