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1N5316


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 135mA
- -
trr 4nS
- -
- -
die 1N5316 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 135mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1N5316
OEM:Semitronics... [mehr]
Semitronics Corporation, USA
Gehäuse: DO-34
1N5316 Datenblatt (jpg):-
1N5316 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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SI Diode
GFX
UR 100V
IF 135mA
- -
trr 4nS
- -
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die 1N5316 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 135mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1N5316
OEM:Semitronics... [mehr]
Semitronics Corporation, USA
Gehäuse: DO-34
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GFX
UR 100V
IF 135mA
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