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1N5059


SI Diode
UR 200V
IF 1A
- -
trr 1.5µS
UF / IF <1.15V/2.5A
TJ 175°C
die 1N5059 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 1A, Anwend: Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N5059
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-204AP
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1N5059 Datenblatt (pdf):verfügbar
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-
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IF 1A
- -
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UF / IF <1.15V/2.5A
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die 1N5059 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 1A, Anwend: Gleichrichter
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1N5059


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 2A
- -
trr 3µS
UF / IF <0.8V/1A
TJ 175°C
die 1N5059 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 2A, Anwend: Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
marking code: 1N5059PH
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD57
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IF 2A
- -
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