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1N4449


SI Diode
GFX
UR 75V
IF 300mA
Ptot 0.5W
trr 4nS
- -
TJ 200°C
die 1N4449 ist eine Silizium Diode, U = 75V, I = 300mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
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Quelle: Tf Telefunken Dioden 1985...... [mehr]
Tf Telefunken Dioden 1985 and 1988
Erweiterte Informationen zu 1N4449
OEM:AEG Telefunk... [mehr]
AEG Telefunken / Telefunken electronic
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Quelle: Texas Instruments Halblei...... [mehr]
Texas Instruments Halbleiter Datenbuch 68/69
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Quelle: Fairchild Diode Data Book...... [mehr]
Fairchild Diode Data Book 1978
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Fairchild Camera & Instrument Corp. USA
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