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RN2601


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 200MHz
TJ -
der RN2601 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integriert, 2 Transistoren in einem Gehäuse
marking code: YA
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu RN2601
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: SOT163
RN2601 Datenblatt (jpg):-
RN2601 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

RN2601


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GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 200MHz
TJ -
der RN2601 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integriert, 2 Transistoren in einem Gehäuse
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Jaeger electronic catalog 1999
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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-
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SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 200MHz
TJ -
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