Lookbooks
R
X
G
Seite:

R2209


SI PNP Transistor
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der R2209 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: KSR2209
Erweiterte Informationen zu R2209
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse:TO-92S
R2209 Datenblatt (jpg):-
R2209 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

R2209


SI PNP Transistor
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der R2209 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: KSR2209
Erweiterte Informationen zu R2209
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse:TO-92S
R2209 Datenblatt (jpg):-
R2209 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

R2209


SI PNP Transistor
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der R2209 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: KSR2209
Erweiterte Informationen zu R2209
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse:TO-92S
R2209 Datenblatt (jpg):-
R2209 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche