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R1002


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der R1002 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: KSR1002
Erweiterte Informationen zu R1002
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
R1002 Datenblatt (jpg):-
R1002 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

R1002


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GFX
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IC 0.1A
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Ptot 300mW
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Samsung Electronics CO. LTD.
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IC 0.1A
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