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R1001


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >20
Ptot 300mW
fT >250MHz
TJ 150°C
der R1001 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: KSR1001
Erweiterte Informationen zu R1001
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
R1001 Datenblatt (jpg):-
R1001 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

R1001


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GFX
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IC 0.1A
hFE >20
Ptot 300mW
fT >250MHz
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Samsung Electronics CO. LTD.
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GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >20
Ptot 300mW
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