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MJW16212


SI NPN Transistor
UCE 1500V
IC 10A
hFE 4-10
Ptot 150W
fT 2.75MHz
TJ 150°C
der MJW16212 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 1.5kV, Ic = 10A, Anwend: Leistungstransistor, Horizontal- Ablenkstufen für S/W Bildröhren mit 20mm Halsdurchmesser und hoher bis sehr... [mehr]
der MJW16212 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 1.5kV, Ic = 10A, Anwend: Leistungstransistor, Horizontal- Ablenkstufen für S/W Bildröhren mit 20mm Halsdurchmesser und hoher bis sehr hoher Auflösung
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJW16212
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse:TO-247AE
MJW16212 Datenblatt (jpg):-
MJW16212 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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SI NPN Transistor
UCE 1500V
IC 10A
hFE 4-10
Ptot 150W
fT 2.75MHz
TJ 150°C
der MJW16212 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 1.5kV, Ic = 10A, Anwend: Leistungstransistor, Horizontal- Ablenkstufen für S/W Bildröhren mit 20mm Halsdurchmesser und hoher bis sehr... [mehr]
der MJW16212 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 1.5kV, Ic = 10A, Anwend: Leistungstransistor, Horizontal- Ablenkstufen für S/W Bildröhren mit 20mm Halsdurchmesser und hoher bis sehr hoher Auflösung
Photo: -
Quelle: datasheet
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MJW16212 Datenblatt (jpg):-
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der MJW16212 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 1.5kV, Ic = 10A, Anwend: Leistungstransistor, Horizontal- Ablenkstufen für S/W Bildröhren mit 20mm Halsdurchmesser und hoher bis sehr hoher Auflösung
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