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MJ10013


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 550/650V
IC 10A
hFE >20
Ptot 175W
fT >10MHz
TJ -
der MJ10013 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 550V, Ic = 10A, Anwend: Schaltnetzteile, interne speed-up Diode E1 ->B1, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MJ10013
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-3
MJ10013 Datenblatt (jpg):-
MJ10013 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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Bauteilsuche:Suche

MJ10013


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GFX
UCE/UCB 550/650V
IC 10A
hFE >20
Ptot 175W
fT >10MHz
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der MJ10013 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 550V, Ic = 10A, Anwend: Schaltnetzteile, interne speed-up Diode E1 ->B1, integrierte Diode
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IC 10A
hFE >20
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