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BB1A3M


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC 0.7A
hFE -
Ptot 750mW
fT -
TJ -
der BB1A3M ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Schalttransistor, Rb, Rbe 1kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BB1A3M
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:-
BB1A3M Datenblatt (jpg):-
BB1A3M Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:BP1A3M
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

BB1A3M


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC 0.7A
hFE -
Ptot 750mW
fT -
TJ -
der BB1A3M ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Schalttransistor, Rb, Rbe 1kOhm integriert
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BB1A3M
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:-
BB1A3M Datenblatt (jpg):-
BB1A3M Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:BP1A3M
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-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

BB1A3M


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC 0.7A
hFE -
Ptot 750mW
fT -
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der BB1A3M ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Schalttransistor, Rb, Rbe 1kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Nippon Elect... [mehr]
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Gehäuse:-
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:BP1A3M
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-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche