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MGW12N120D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
der MGW12N120D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 20A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp), integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MGW12N120D
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-247
MGW12N120D Datenblatt (jpg):-
MGW12N120D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:BUP313D
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

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GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
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Jaeger electronic catalog 1999
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-
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IC 20A
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-
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