| GT8J101
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 600V | | | UGE | 20V | | IC DC/AC | 8/16A | | Ptot | 30W | | TON/TOFF | 400/500nS | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | Erweiterte Informationen zu GT8J101 | | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Gehäuse: | 2-10R1C | | GT8J101 Datenblatt (jpg): | verfügbar | | GT8J101 Datenblatt (pdf): | verfügbar | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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