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GT80J101


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 80/160A
Ptot 200W
TON/TOFF 500/700nS
TJ 150°C
der GT80J101 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 600V, Ic = 80A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Erweiterte Informationen zu GT80J101
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:2-21F1C
GT80J101 Datenblatt (jpg):verfügbar
GT80J101 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

GT80J101


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 80/160A
Ptot 200W
TON/TOFF 500/700nS
TJ 150°C
der GT80J101 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 600V, Ic = 80A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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