Lookbooks
R
X
G
Seite:

BUP200D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
der BUP200D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, Anwend: Universaltyp, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BUP200D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-220AB
BUP200D Datenblatt (jpg):-
BUP200D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

BUP200D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
der BUP200D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, Anwend: Universaltyp, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BUP200D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-220AB
BUP200D Datenblatt (jpg):-
BUP200D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

BUP200D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
der BUP200D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, Anwend: Universaltyp, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BUP200D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-220AB
BUP200D Datenblatt (jpg):-
BUP200D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche