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JDP2S01T


SI Diode
UR 30V
IF 50mA
- -
- -
- -
TJ 125°C
die JDP2S01T ist eine Silizium Diode, U = 30V, I = 50mA, Anwend: HF- Abschwächer, PIN- Diode, VHF und UHF- Bereich
marking code: F.1
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu JDP2S01T
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
JDP2S01T Datenblatt (jpg):-
JDP2S01T Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

JDP2S01T


SI Diode
UR 30V
IF 50mA
- -
- -
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TJ 125°C
die JDP2S01T ist eine Silizium Diode, U = 30V, I = 50mA, Anwend: HF- Abschwächer, PIN- Diode, VHF und UHF- Bereich
marking code: F.1
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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SI Diode
UR 30V
IF 50mA
- -
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die JDP2S01T ist eine Silizium Diode, U = 30V, I = 50mA, Anwend: HF- Abschwächer, PIN- Diode, VHF und UHF- Bereich
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-
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