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BY610


SI Diode
GFX
UR 12kV
IF 4mA
- -
trr 200nS
UF / IF <50V/100mA
TJ 120°C
die BY610 ist eine Silizium Diode, U = 12kV, I = 4mA, Anwend: Einsatz im Hochvoltbereich wie Spannungsvervielfältigung speziell in Dioden- Splittransformatoren (avalanche Diode)
color code: OR
Photo: -
Quelle: PSC Diodes SC01 1992
Erweiterte Informationen zu BY610
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD61
BY610 Datenblatt (jpg):-
BY610 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BY610


SI Diode
GFX
UR 12kV
IF 4mA
- -
trr 200nS
UF / IF <50V/100mA
TJ 120°C
die BY610 ist eine Silizium Diode, U = 12kV, I = 4mA, Anwend: Einsatz im Hochvoltbereich wie Spannungsvervielfältigung speziell in Dioden- Splittransformatoren (avalanche Diode)
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Photo: -
Quelle: PSC Diodes SC01 1992
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Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD61
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-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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- -
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UF / IF <50V/100mA
TJ 120°C
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