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BY329-1000


SI Diode
GFX
UR 1kV
IF 8A
- -
trr 100nS
UF / IF <1.5V/20A
TJ 150°C
die BY329-1000 ist eine Silizium Diode, U = 1kV, I = 8A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BY329-1000
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD59
BY329-1000 Datenblatt (jpg):verfügbar
BY329-1000 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BY329-1000


SI Diode
GFX
UR 1kV
IF 8A
- -
trr 100nS
UF / IF <1.5V/20A
TJ 150°C
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Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD59
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BY329-1000 Datenblatt (pdf):verfügbar
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Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BY329-1000


SI Diode
GFX
UR 1kV
IF 8A
- -
trr 100nS
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