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BAT18


SI Diode
GFX
UR 35V
IF 100mA
- -
F >200MHz
UF / IF <1.2V/100mA
TJ 100°C
die BAT18 ist eine Silizium Diode, U = 35V, I = 100mA, Anwend: Bandumschalt- Diode für den Einsatz in Dick- und Dünnfilmschaltungen
marking code: A2
Photo: -
Quelle: PSC Diodes SC01 1992
Erweiterte Informationen zu BAT18
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT-23
BAT18 Datenblatt (jpg):-
BAT18 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BAT18


SI Diode
GFX
UR 35V
IF 100mA
- -
F >200MHz
UF / IF <1.2V/100mA
TJ 100°C
die BAT18 ist eine Silizium Diode, U = 35V, I = 100mA, Anwend: Bandumschalt- Diode für den Einsatz in Dick- und Dünnfilmschaltungen
marking code: A2
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Quelle: PSC Diodes SC01 1992
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Gehäuse: SOT-23
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-
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GFX
UR 35V
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- -
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UF / IF <1.2V/100mA
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