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BA214


SI Diode
GFX
UR 75V
IF 100mA
Ptot 0.5W
trr 4nS
UF / IF <1V/30mA
TJ 175°C
die BA214 ist eine Silizium Diode, U = 75V, I = 100mA, Anwend: 1N4449, 1N916B, schnelle Schaltstufen
Photo: -
Quelle: Kristalldioden & Transist...... [mehr]
Kristalldioden & Transistoren Taschentabelle KTT10 (Franzis Verlag)
Erweiterte Informationen zu BA214
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse: DO-35
BA214 Datenblatt (jpg):-
BA214 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BA214


SI Diode
GFX
UR 75V
IF 100mA
Ptot 0.5W
trr 4nS
UF / IF <1V/30mA
TJ 175°C
die BA214 ist eine Silizium Diode, U = 75V, I = 100mA, Anwend: 1N4449, 1N916B, schnelle Schaltstufen
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Kristalldioden & Transistoren Taschentabelle KTT10 (Franzis Verlag)
Erweiterte Informationen zu BA214
OEM:Texas Instru... [mehr]
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Gehäuse: DO-35
BA214 Datenblatt (jpg):-
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GFX
UR 75V
IF 100mA
Ptot 0.5W
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die BA214 ist eine Silizium Diode, U = 75V, I = 100mA, Anwend: 1N4449, 1N916B, schnelle Schaltstufen
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