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1S2357


SI Diode
GFX
UR 400V
IF 400mA
- -
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die 1S2357 ist eine Silizium Diode, U = 400V, I = 400mA, Anwend: Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1S2357
OEM:Shindengen E... [mehr]
Shindengen Electric Mfg. Co., Ltd., Japan
Gehäuse: DO-14
1S2357 Datenblatt (jpg):-
1S2357 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1S2357


SI Diode
GFX
UR 400V
IF 400mA
- -
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die 1S2357 ist eine Silizium Diode, U = 400V, I = 400mA, Anwend: Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1S2357
OEM:Shindengen E... [mehr]
Shindengen Electric Mfg. Co., Ltd., Japan
Gehäuse: DO-14
1S2357 Datenblatt (jpg):-
1S2357 Datenblatt (pdf):-
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1S2357


SI Diode
GFX
UR 400V
IF 400mA
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die 1S2357 ist eine Silizium Diode, U = 400V, I = 400mA, Anwend: Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
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Jaeger electronic catalog 1999
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Shindengen Electric Mfg. Co., Ltd., Japan
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