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1N5061


SI Diode
GFX
UR 600V
IF 2.1A
- -
trr 3µS
UF / IF <1.15V/2.5A
TJ 175°C
die 1N5061 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 2.1A, Anwend: Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
Photo: -
Quelle: Va Valvo Halbleiterdioden...... [mehr]
Va Valvo Halbleiterdioden 1978
Erweiterte Informationen zu 1N5061
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: SOD57
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SI Diode
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UR 600V
IF 2.1A
- -
trr 3µS
UF / IF <1.15V/2.5A
TJ 175°C
die 1N5061 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 2.1A, Anwend: Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
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Va Valvo Halbleiterdioden 1978
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UR 600V
IF 2.1A
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UF / IF <1.15V/2.5A
TJ 175°C
die 1N5061 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 2.1A, Anwend: Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
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Va Valvo Halbleiterdioden 1978
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SI Diode
UR 600V
IF 2A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die 1N5061 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 2A, Anwend: Gleichrichter
Photo: -
Quelle: Diotec Semiconductor Data...... [mehr]
Diotec Semiconductor Databook 2006
Erweiterte Informationen zu 1N5061
OEM:Diotec Semic... [mehr]
Diotec Semiconductor
Gehäuse: DO-15
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IF 2A
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Diotec Semiconductor Databook 2006
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SI Diode
UR 600V
IF 1A
- -
- -
- -
TJ 175°C
die 1N5061 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 1A, Anwend: Gleichrichter
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Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N5061
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-204AP
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
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General Semiconductor Industries, Inc. USA
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SI Diode
UR 600V
IF 1A
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die 1N5061 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 1A, Anwend: Gleichrichter
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Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
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OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-204AP
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SI Diode
GFX
UR 600V
IF 2A
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trr 3µS
UF / IF <1.1V/1A
TJ 175°C
die 1N5061 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 2A, Anwend: Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
marking code: 1N5061PH
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD57
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SI Diode
GFX
UR 600V
IF 2A
- -
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UF / IF <1.1V/1A
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die 1N5061 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 2A, Anwend: Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
marking code: 1N5061PH
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD57
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1N5061


SI Diode
GFX
UR 600V
IF 2A
- -
trr 3µS
UF / IF <1.1V/1A
TJ 175°C
die 1N5061 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 2A, Anwend: Gleichrichter, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
marking code: 1N5061PH
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Gehäuse: SOD57
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